TP65H070G4LSG-TR Transphorm FET simples MOSFET

Fabricant: Transphorm
Série: SuperGaN®
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss): 650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 29A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 4.8V @ 700µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 600 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 96W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 3-PQFN (8x8)
Paquet / Étui: 3-PowerTDFN