XP4N2R1MT YAGEO XSEMI FET simples MOSFET

Fabricant: YAGEO XSEMI
Série: XP4N2R1
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 37.5A (Ta), 170A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 154 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 9056 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 5W (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PMPAK® 5 x 6
Paquet / Étui: 8-PowerLDFN