DIW120SIC023-AQ Diotec Semiconductor FET simples MOSFET

Fabricant: Diotec Semiconductor
Série: -
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (Vdss): 1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 125A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 18V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.9V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 45 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 6150 pF @ 1000 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 600W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-247
Paquet / Étui: TO-247-3