SIR862DP-T1-GE3 Vishay Siliconix FET simples MOSFET

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET®
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 50A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 90 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 3800 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PowerPAK® SO-8
Paquet / Étui: PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base: SIR862