SSM3J372R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage FET simples MOSFET

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: U-MOSVI
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 6A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.8V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): +6V, -12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 560 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 1W (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: SOT-23F
Paquet / Étui: SOT-23-3 Flat Leads