R6007JND3TL1 Rohm Semiconductor FET simples MOSFET

Fabricant: Rohm Semiconductor
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 7A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 15V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 780mOhm @ 3.5A, 15V
Vgs(th) (Max) à Id: 7V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 17.5 nC @ 15 V
Vgs (Max): ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 475 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 96W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: TO-252
Paquet / Étui: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base: R6007