Fabricant: Renesas Electronics Corporation
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Obsolete
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 8A (Ta)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 780 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 1W (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 8-VSOF
Paquet / Étui: 8-SMD, Flat Lead
