FDB1D7N10CL7 onsemi FET simples MOSFET

Fabricant: onsemi
Série: PowerTrench®
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 268A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 6V, 15V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (Max) à Id: 4V @ 700µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 163 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 11600 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 250W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: TO-263 (D2PAK)
Paquet / Étui: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numéro de produit de base: FDB1D7