2N7000 Diotec Semiconductor FET simples MOSFET

Fabricant: Diotec Semiconductor
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 200mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3V @ 1mA
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 60 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 350mW (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-92
Paquet / Étui: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads