NP82N04NLG-S18-AY NEC Corporation FET simples MOSFET

Fabricant: NEC Corporation
Série: -
Conditionnement: Tube
Statut de la pièce: Obsolete
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 82A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 4.2mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 150 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 9000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Température de fonctionnement: 175°C (TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-262
Paquet / Étui: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA