SSM3J351R,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET simples MOSFET

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: U-MOSVI
Conditionnement: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut de la pièce: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 3.5A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 660 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 2W (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: SOT-23F
Paquet / Étui: SOT-23-3 Flat Leads
Numéro de produit de base: SSM3J351