ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies FET simples MOSFET

Fabricant: Infineon Technologies
Série: OptiMOS??5
Conditionnement: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut de la pièce: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.3V @ 15µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 23 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1400 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 3W (Ta), 44W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PG-TDSON-8
Paquet / Étui: 8-PowerTDFN
Numéro de produit de base: ISC0703N