AUIRFS8409-7P Infineon Technologies FET simples MOSFET

Fabricant: Infineon Technologies
Série: HEXFET®
Conditionnement: Tube
Statut de la pièce: Obsolete
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 240A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3.9V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 460 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 13975 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 375W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: D2PAK (7-Lead)
Paquet / Étui: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numéro de produit de base: AUIRF8409