IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies FET simples MOSFET

Fabricant: Infineon Technologies
Série: OptiMOS®-P2
Conditionnement: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut de la pièce: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 90A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 4V @ 253µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 130 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 10300 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 137W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PG-TO252-3-11
Paquet / Étui: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base: IPD90