DF200R12W1H3B27BOMA1 Infineon Technologies Modules IGBT

Fabricant: Infineon Technologies
Série: -
Emballer: Tray
Statut du produit: Active
Type IGBT: -
Configuration: 2 Independent
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 30 A
Puissance - Max: 375 W
Vce(on) (Max) à Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 30A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 1 mA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce: 2 nF @ 25 V
Saisir: Standard
Thermistance CTN: Yes
Température de fonctionnement: -40°C ~ 150°C
Type de montage: Chassis Mount
Paquet / Étui: Module
Package d'appareils du fournisseur: Module
Numéro de produit de base: DF200R12