VS-GT75YF120UT Vishay General Semiconductor - Diodes Division Modules IGBT

Fabricant: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Série: -
Emballer: Box
Statut du produit: Active
Type IGBT: Trench Field Stop
Configuration: Full Bridge
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 118 A
Puissance - Max: 431 W
Vce(on) (Max) à Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 100 µA
Saisir: Standard
Thermistance CTN: Yes
Température de fonctionnement: -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Chassis Mount
Paquet / Étui: Module
Package d'appareils du fournisseur: -