NXH80T120L3Q0S3G onsemi Modules IGBT

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Tray
Statut du produit: Active
Type IGBT: Trench Field Stop
Configuration: Half Bridge
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 75 A
Puissance - Max: 188 W
Vce(on) (Max) à Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 300 µA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce: 18.15 nF @ 20 V
Saisir: Standard
Thermistance CTN: Yes
Température de fonctionnement: -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage: Chassis Mount
Paquet / Étui: Module
Package d'appareils du fournisseur: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)