VS-GT100TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division Modules IGBT

Fabricant: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Série: -
Emballer: Box
Statut du produit: Active
Type IGBT: Trench Field Stop
Configuration: Half Bridge Inverter
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 650 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 96 A
Puissance - Max: 259 W
Vce(on) (Max) à Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 50 µA
Saisir: Standard
Thermistance CTN: No
Température de fonctionnement: -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage: Chassis Mount
Paquet / Étui: Module
Package d'appareils du fournisseur: INT-A-PAK IGBT