GT30J121(Q) Toshiba Semiconductor and Storage IGBT simples

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type IGBT: -
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 600 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 30 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm): 60 A
Vce(on) (Max) à Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
Puissance - Max: 170 W
Changement d'énergie: 1mJ (on), 800µJ (off)
Type d'entrée: Standard
Td (marche/arrêt) à 25°C: 90ns/300ns
Conditions de test: 300V, 30A, 24Ohm, 15V
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-3P-3, SC-65-3
Package d'appareils du fournisseur: TO-3P(N)
Numéro de produit de base: GT30J121