GT20N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage IGBT simples

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type IGBT: -
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 1350 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 40 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm): 80 A
Vce(on) (Max) à Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Puissance - Max: 312 W
Changement d'énergie: -, 700µJ (off)
Type d'entrée: Standard
Frais d'entrée: 185 nC
Td (marche/arrêt) à 25°C: -
Conditions de test: 300V, 40A, 39Ohm, 15V
Température de fonctionnement: 175°C (TJ)
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-247-3
Package d'appareils du fournisseur: TO-247