RGT8NS65DGC9 Rohm Semiconductor IGBT simples

Fabricant: Rohm Semiconductor
Série: -
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type IGBT: Trench Field Stop
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 650 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 8 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm): 12 A
Vce(on) (Max) à Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Puissance - Max: 65 W
Changement d'énergie: -
Type d'entrée: Standard
Frais d'entrée: 13.5 nC
Td (marche/arrêt) à 25°C: 17ns/69ns
Conditions de test: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr): 40 ns
Température de fonctionnement: -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Package d'appareils du fournisseur: TO-262
Numéro de produit de base: RGT8NS65