HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistors bipolaires (BJT) - Réseaux

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de transistor: 2 NPN (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 300mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 20V
Saturation Vce (Max) à Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Courant - Coupure du collecteur (max.): 100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Puissance - Max: 300mW
Fréquence - Transition: 30MHz
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: SC-74, SOT-457
Package d'appareils du fournisseur: SM6
Numéro de produit de base: HN1C03