EMF5XV6T5G onsemi Transistors bipolaires (BJT) - Réseaux pré-polarisés

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Last Time Buy
Type de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 50V, 12V
Résistance - Base (R1): 47kOhms
Résistance - Base émettrice (R2): 47kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
Saturation Vce (Max) à Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Courant - Coupure du collecteur (max.): 500nA
Fréquence - Transition: -
Puissance - Max: 500mW
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur: SOT-563
Numéro de produit de base: EMF5XV6