NSVBC114EPDXV6T1G onsemi Transistors bipolaires (BJT) - Réseaux pré-polarisés

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Active
Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 50V
Résistance - Base (R1): 10kOhms
Résistance - Base émettrice (R2): 10kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Saturation Vce (Max) à Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.): 500nA
Fréquence - Transition: -
Puissance - Max: 500mW
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur: SOT-563
Numéro de produit de base: NSVBC114