RN1709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistors bipolaires (BJT) - Réseaux pré-polarisés

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 50V
Résistance - Base (R1): 47kOhms
Résistance - Base émettrice (R2): 22kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Saturation Vce (Max) à Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.): 500nA
Fréquence - Transition: 250MHz
Puissance - Max: 100mW
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: SOT-553
Package d'appareils du fournisseur: ESV
Numéro de produit de base: RN1709