PBLS1503V,115-NXP NXP USA Inc. Transistors bipolaires (BJT) - Réseaux pré-polarisés

Fabricant: NXP USA Inc.
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 50V, 15V
Résistance - Base (R1): 10kOhms
Résistance - Base émettrice (R2): 10kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, 200 @ 10mA, 2V
Saturation Vce (Max) à Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, 250mV @ 50mA, 500mA
Courant - Coupure du collecteur (max.): 1µA, 100nA
Fréquence - Transition: 280MHz
Puissance - Max: 300mW
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur: SOT-666