MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - Bipolaires (BJT) - RF

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de transistor: NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 5.3V
Fréquence - Transition: 11.2GHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Gagner: 12.5dB
Puissance - Max: 900mW
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 3-SMD, Flat Lead
Package d'appareils du fournisseur: UFM
Numéro de produit de base: MT3S113