NTE313 NTE Electronics, Inc Transistors - Bipolaires (BJT) - RF

Fabricant: NTE Electronics, Inc
Série: -
Emballer: Bag
Statut du produit: Active
Type de transistor: NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 30V
Fréquence - Transition: 530MHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.5dB @ 200MHz
Gagner: 23dB
Puissance - Max: 150mW
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 20 @ 2mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 20mA
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 3-SMD, Flat Lead
Package d'appareils du fournisseur: 3-SMD