NTE160 NTE Electronics, Inc Transistors - Bipolaires (BJT) - RF

Fabricant: NTE Electronics, Inc
Série: -
Emballer: Bag
Statut du produit: Active
Type de transistor: PNP
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 20V
Fréquence - Transition: 700MHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f): 5dB @ 800MHz
Gagner: 14dB
Puissance - Max: 60mW
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 50 @ 2mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 10mA
Température de fonctionnement: 90°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Package d'appareils du fournisseur: TO-72