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NTE395 NTE Electronics, Inc Transistors - Bipolaires (BJT) - RF

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Fabricant: NTE Electronics, Inc
Série: -
Emballer: Bag
Statut du produit: Active
Type de transistor: PNP
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 25V
Fréquence - Transition: 2.3GHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.5dB ~ 4dB @ 200MHz ~ 800MHz
Gagner: 16dB
Puissance - Max: 225mW
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 20 @ 10mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA
Température de fonctionnement: 200°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Package d'appareils du fournisseur: TO-72

Datasheet

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