NTE23 NTE Electronics, Inc Transistors - Bipolaires (BJT) - RF

Fabricant: NTE Electronics, Inc
Série: -
Emballer: Bag
Statut du produit: Active
Type de transistor: NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 14V
Fréquence - Transition: 2GHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB @ 500MHz
Gagner: 15dB
Puissance - Max: 250mW
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Package d'appareils du fournisseur: TO-92