BFR360L3E6765 Infineon Technologies Transistors - Bipolaires (BJT) - RF

Fabricant: Infineon Technologies
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de transistor: NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 9V
Fréquence - Transition: 14GHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Gagner: 11.5dB ~ 16dB
Puissance - Max: 210mW
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 35mA
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: SC-101, SOT-883
Package d'appareils du fournisseur: PG-TSLP-3-1