NTE278 NTE Electronics, Inc Transistors - Bipolaires (BJT) - RF

Fabricant: NTE Electronics, Inc
Série: -
Emballer: Bag
Statut du produit: Active
Type de transistor: NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 20V
Fréquence - Transition: 1.2GHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
Gagner: 11dB
Puissance - Max: 1W
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 400mA
Température de fonctionnement: -
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Package d'appareils du fournisseur: TO-39