2SC3583-T1B-A Renesas Electronics America Inc Transistors - Bipolaires (BJT) - RF

Fabricant: Renesas Electronics America Inc
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Obsolete
Type de transistor: NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 10V
Fréquence - Transition: 9GHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Gagner: 13dB
Puissance - Max: 200mW
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 65mA
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareils du fournisseur: SOT23-3 (TO-236)