NTE2633 NTE Electronics, Inc Transistors - Bipolaires (BJT) - RF

Fabricant: NTE Electronics, Inc
Série: -
Emballer: Bag
Statut du produit: Active
Type de transistor: NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 95V
Fréquence - Transition: 1.2GHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f): -
Gagner: -
Puissance - Max: 3W
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 300mA
Température de fonctionnement: 175°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-225AA, TO-126-3
Package d'appareils du fournisseur: TO-126