NE662M04-T2-A Renesas Transistors - Bipolaires (BJT) - RF

Fabricant: Renesas
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Last Time Buy
Type de transistor: NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 3.3V
Fréquence - Transition: 25GHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Gagner: 17dB
Puissance - Max: 115mW
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 35mA
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: SOT-343F
Package d'appareils du fournisseur: M04