NE85639-T1-A Renesas Transistors - Bipolaires (BJT) - RF

Fabricant: Renesas
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Last Time Buy
Type de transistor: NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 12V
Fréquence - Transition: 7GHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Gagner: 13dB
Puissance - Max: 200mW
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: TO-253-4, TO-253AA
Package d'appareils du fournisseur: SOT-143