BFP720ESDH6327 Infineon Technologies Transistors - Bipolaires (BJT) - RF

Fabricant: Infineon Technologies
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de transistor: NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 4.7V
Fréquence - Transition: 43GHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz
Gagner: 11dB ~ 30.5dB
Puissance - Max: 100mW
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 30mA
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: SC-82A, SOT-343
Package d'appareils du fournisseur: PG-SOT343-4-2