BF888H6327 Infineon Technologies Transistors - Bipolaires (BJT) - RF

Fabricant: Infineon Technologies
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de transistor: NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 4V
Fréquence - Transition: 47GHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Gagner: 27dB
Puissance - Max: 160mW
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 250 @ 25A, 3V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 30mA
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: SC-82A, SOT-343
Package d'appareils du fournisseur: PG-SOT343-4-2