4MN10CH-TL-E onsemi Transistors - Bipolaires (BJT) - RF

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Obsolete
Type de transistor: NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 200V
Fréquence - Transition: 400MHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f): -
Gagner: -
Puissance - Max: 600mW
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: SC-96
Package d'appareils du fournisseur: 3-CPH