TTA0002(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de transistor: PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 18 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 160 V
Saturation Vce (Max) à Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 1µA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Puissance - Max: 180 W
Fréquence - Transition: 30MHz
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-3PL
Package d'appareils du fournisseur: TO-3P(L)
Numéro de produit de base: TTA0002