MJD122-1G onsemi Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Tube
Statut du produit: Last Time Buy
Type de transistor: NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 8 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 100 V
Saturation Vce (Max) à Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 10µA
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Puissance - Max: 1.75 W
Fréquence - Transition: 4MHz
Température de fonctionnement: -65°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur: DPAK
Numéro de produit de base: MJD122