PHE13009/DG,127 NXP USA Inc. Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples

Fabricant: NXP USA Inc.
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de transistor: NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 12 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 400 V
Saturation Vce (Max) à Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 100µA
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Puissance - Max: 80 W
Fréquence - Transition: -
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-220-3
Package d'appareils du fournisseur: TO-220AB