NTE126A NTE Electronics, Inc Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples

Fabricant: NTE Electronics, Inc
Série: -
Emballer: Bag
Statut du produit: Active
Type de transistor: PNP
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 11.5 V
Saturation Vce (Max) à Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (max.): 100µA
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V
Puissance - Max: 150 mW
Fréquence - Transition: 300MHz
Température de fonctionnement: -65°C~100°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Package d'appareils du fournisseur: TO-18