2SD1223(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Active
Type de transistor: NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 4 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 80 V
Saturation Vce (Max) à Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 20µA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 1000 @ 3A, 2V
Puissance - Max: 1 W
Fréquence - Transition: -
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur: PW-MOLD
Numéro de produit de base: 2SD1223