PBSS4220V,115 NXP USA Inc. Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples

Fabricant: NXP USA Inc.
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de transistor: NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 20 V
Saturation Vce (Max) à Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 100nA
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Puissance - Max: 900 mW
Fréquence - Transition: 210MHz
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur: SOT-666