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2SB1215S-H onsemi Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples

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description de vos besoins

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de transistor: PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 3 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 100 V
Saturation Vce (Max) à Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 1µA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Puissance - Max: 1 W
Fréquence - Transition: 130MHz
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Package d'appareils du fournisseur: TP

Datasheet

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