Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de transistor: PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 12 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 80 V
Saturation Vce (Max) à Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 6A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 5µA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Puissance - Max: 2 W
Fréquence - Transition: 50MHz
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-220-3 Full Pack
Package d'appareils du fournisseur: TO-220SIS
