MJD31C1G onsemi Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de transistor: NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 3 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 100 V
Saturation Vce (Max) à Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 50µA
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Puissance - Max: 1.56 W
Fréquence - Transition: 3MHz
Température de fonctionnement: -65°C~150°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Package d'appareils du fournisseur: I-PAK
Numéro de produit de base: MJD31