2SA1955FVBTPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Obsolete
Type de transistor: PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 400 mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 12 V
Saturation Vce (Max) à Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Courant - Coupure du collecteur (max.): 100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Puissance - Max: 100 mW
Fréquence - Transition: 130MHz
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: SOT-723
Package d'appareils du fournisseur: VESM
Numéro de produit de base: 2SA1955